【摘 要】
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本文采用超声喷雾热解法在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和金相显微镜(MM)表征了样品的结构和形貌.研究了基板沉积温度、Cu/In原子比等因素对薄膜质量的影
【机 构】
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复旦大学材料科学系上海200433
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本文采用超声喷雾热解法在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和金相显微镜(MM)表征了样品的结构和形貌.研究了基板沉积温度、Cu/In原子比等因素对薄膜质量的影响.结果表明,在基板温度440℃,原子比为1.2时制备出高质量的CuInS2薄膜.用分光光度计测试了其光学性能,计算得到常温下禁带宽度为1.45eV,接近太阳电池的理想禁带宽度1.5eV,适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.
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