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本文对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为10<3>V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好.
GaAs半导体对1.06微米激光的吸收响应
【摘 要】
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本文对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为10V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好.
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院(成都) 成都大学(成都)
【出 处】
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中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议
【发表日期】
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2004年7期
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