【摘 要】
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本文运用二维相关光谱技术这一较为新颖的研究手段来探讨聚噻吩在外界热扰动下结构发生的变化.通过紫外光谱分析,发现未经掺杂的聚噻吩在480nm处有最大吸收峰,而掺杂后的聚噻吩的最大吸收峰在750nm处,研究表明:初始的掺杂态结构对温度并不敏感.然而随着温度的降低,有相当一部分的非掺杂态结构转化成了掺杂态结构.
【机 构】
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复旦大学高分子科学系,聚合物分子工程教育部重点实验室(上海) 清华大学化学系(北京)
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本文运用二维相关光谱技术这一较为新颖的研究手段来探讨聚噻吩在外界热扰动下结构发生的变化.通过紫外光谱分析,发现未经掺杂的聚噻吩在480nm处有最大吸收峰,而掺杂后的聚噻吩的最大吸收峰在750nm处,研究表明:初始的掺杂态结构对温度并不敏感.然而随着温度的降低,有相当一部分的非掺杂态结构转化成了掺杂态结构.
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