【摘 要】
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在有机场效应晶体管内,电荷输运层位于半导体层与绝缘层之间的界面,厚度只有几个纳米。在传统的基于厚膜(几十纳米)的有机晶体管内,电荷输运层被包埋在半导体层内,因而难以表征,并在一定程度上限制了场效应晶体管传感器的性能。若能制备超薄(几个纳米)有机半导体膜,在以此薄膜制备的晶体管器件内,电荷输运层被直接暴露出来,这为直接表征电荷输运层提供极大的便利。若将此种晶体管用于传感器,则电荷输运层可与被检测物质
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏省苏州市工业园区若水路398号,215123 Max
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在有机场效应晶体管内,电荷输运层位于半导体层与绝缘层之间的界面,厚度只有几个纳米。在传统的基于厚膜(几十纳米)的有机晶体管内,电荷输运层被包埋在半导体层内,因而难以表征,并在一定程度上限制了场效应晶体管传感器的性能。若能制备超薄(几个纳米)有机半导体膜,在以此薄膜制备的晶体管器件内,电荷输运层被直接暴露出来,这为直接表征电荷输运层提供极大的便利。若将此种晶体管用于传感器,则电荷输运层可与被检测物质直接相互作用,因而可以有效增强传感器性能。但是,制备超薄、连续、均匀的有机半导体膜是一项挑战性的课题。我们选取可溶性的有机半导体,采用浸涂法,通过系统优化生长条件,实现了单分子层到多分子层微米带的可控制备[1,2],并进一步阐释了这一独特生长现象的微观机制[2]。基于此超薄微米带,我们制备了有机场效应晶体管,并将此晶体管用于氨气检测,此传感器表现出高灵敏度、低检测极限、高选择性和稳定性[3]。
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