【摘 要】
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金属硅化物被广泛应用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一.镍硅化物NiSi无明显尺寸效应、形成热预算小、耗硅量少且应力
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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金属硅化物被广泛应用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一.镍硅化物NiSi无明显尺寸效应、形成热预算小、耗硅量少且应力小,受到人们的重视,成为目前自对准硅化物工艺中应用的主流金属硅化物.然而,NiSi薄膜的热稳定较差,在高于650℃时开始结团,在750℃时低阻NiSi开始向高阻NiSi2转化.NiSi薄膜退化将严重影响金属伴导体接触特性,接触电阻急剧增大,器件性能下降.此外,Ni在高温下非常活泼,扩散速度明显加快,这对于超浅结和短沟道器件无疑是致命的打击.工业界已经通过增加少量的Pt(5％)来提高NiSi薄膜的稳定性,掺入Pt(5％)不但可使镍硅化物的温度窗口扩大100～150℃,还能够抑制Ni在高温下的扩散速度.但是,近来研究人员发现超薄NiSi薄膜在更低的温度(～550℃)就已经开始结团,形貌发生退化.随着硅化物厚度不断缩小,如在14nm FINFET超薄硅化物中,Pt(5％)的掺入并不能满足要求.在这方面,NiPt(10％)有其独特的优势.
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