论文部分内容阅读
采用Sol-Gel法,在Pt/TiO<,2>/Si基片上制备了不参掺Mn量的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了Mn掺杂对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响.结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(100)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随掺锰量的增加而改变.随着掺锰量的增加,PLZT铁电薄膜的矫顽电场强度值和剩余极化强度值均增大.掺锰量为1.5mol℅的薄膜具有最佳的介电性能和铁电性能.