【摘 要】
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钨(W)因为其高熔点、低溅射率、高热导、氢低滞留、低肿胀、无化学溅射、几乎不与氢反应以及良好的抗高温蠕变等优点,被认为是托卡马克装置及未来反应堆中面向等离子体材料(P
【机 构】
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表面物理与化学重点实验室,四川绵阳718信箱35分箱621907
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钨(W)因为其高熔点、低溅射率、高热导、氢低滞留、低肿胀、无化学溅射、几乎不与氢反应以及良好的抗高温蠕变等优点,被认为是托卡马克装置及未来反应堆中面向等离子体材料(PFM)的重要候选材料.PFM中的氘(D)、氚(T)滞留及其对PFM的损伤问题直接影响等离子体稳定性以及PFM的使用寿命.W的合金化是改善W材料性能的重要手段,有望成为改善W材料并提高其抗辐照性能的有效方法.为了研究样品中D,He滞留量及其脱附过程,可通过热脱附实验测量等离子体辐照后W样品的气体脱附谱.实验是在单位自行设计的超高真空气固反应系统上实现的，利用快速加热装置进行热脱附实验(100℃/min)，进而使用四极质谱仪测量脱附气体随温度变化的脱附谱，研究D,He与W中缺陷的作用关系。热脱附实验说明了注入离子对D，He在W中的滞留行为有影响，且不同金属离子的注入对D，He的脱附行为有变化，该研究结果可为聚变堆中第一壁材料钨的改性及其中氖的有效回收提供有益借鉴。
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