基于电化学阻抗谱的硅阳极SEI膜研究

来源 :国际电动汽车学术研讨会暨中美清洁汽车联盟2015技术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:beret85
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本文介绍了硅负极方面的工作。目前能够看到的材料体系是硅材料,硅材料有很高的容量,因为它跟锂发生核晶化反应,最高的容量可以超过4000mAh/g。但是高容量带来的问题就是体积膨胀。所以,硅负极本身锂核晶化的可逆性是没有问题的,主要的问题是由于体积膨胀收缩巨大带来的。所以能不能解决这样一个问题,是硅材料能不能真正实用化的一个关键。SEI膜开始的时候跟锂反应,反应完之后SIN膜形成,然后膨胀。缩回来的时候,SIN膜是一个像果冻一样的东西,所以它不能跟锂出来之后收缩,所以SIN膜会跟硅之间脱离,新的电源过去进一步再形成SIN膜,通过几次循环以后,会看见SIN膜增加得很厚,一般的硅负极,当颗粒来说是不能解决这个问题的。所以想提高硅负极的循环特性,首先就要控制好这个界面,不让SIN膜生长。从阻抗图以及DSC数据来看,多孔结构的硅对抑制SIN膜生长具有非常好的用途。
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