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磁性薄膜在高频微波磁性器件中具有重要应用,如:环行器、移相器和滤波器等.由于微波磁性器件的应用频率由材料的铁磁共振频率决定,且铁磁/反铁磁结构在自旋阀中得到了大量应用,因此对铁磁/反铁磁薄膜的铁磁共振和交换偏置效应的研究具有重要意义.
Si/NiO/NiFe薄膜的铁磁共振研究
【摘 要】
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磁性薄膜在高频微波磁性器件中具有重要应用,如:环行器、移相器和滤波器等.由于微波磁性器件的应用频率由材料的铁磁共振频率决定,且铁磁/反铁磁结构在自旋阀中得到了大量应用,因此对铁磁/反铁磁薄膜的铁磁共振和交换偏置效应的研究具有重要意义.
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
【发表日期】
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2015年11期
其他文献
磁性金属纳米线阵列在先进的纳米技术,许多潜在的应用领域包括传感器,微波器件,磁记录介质[1].近年来,各种成分的磁性纳米线的不断用阳极氧化铝(AAO)模板沉积方法制造出来,但具有形状和磁晶各向异性特点、双相界面交换耦合相互作用的双硬磁相模板沉积纳米线的制备尚未见文献报道.
会议
磁性空心球因其独特的中空结构及大的比表面积和空间曲率,使其表现出不同于块体和薄膜的优越物理性能,如Fe3O4 空心球相比其块体材料呈现出巨大的矫顽力[1].因此,直径和壳层厚度可控的磁性空心球的制备及其物性的研究引起广泛关注[2].本文采用均匀沉淀法,利用不同直径(300 – 800 nm)的聚苯乙烯球为模板,并通过在空气中高温煅烧去除模板成功制得不同尺寸的单分散性氧化铁(α-Fe2O3)空心球.
会议
自旋拓扑结构近些年引起人们广泛关注,有望在自旋电子学器件中得以应用.在垂直磁各向异性自旋阀结构中,纳米点接触通过自旋转矩(STT)效应可诱导产生"磁滴子(droplet)"结构[1].本文我们针对一对磁滴子之间的磁耦合动力学行为特性开展了研究.我们发现在磁场H 和电流I的共同驱动下,两个中心间距d = 196 nm的全同磁滴子随着时间的演化可以合并生成一个"磁泡(bubble)"结构,如图1a 所
会议
近年来,自旋流的注入和探测引起了物理学界的普遍关注.在非磁/铁磁(NM/FM)双层膜这一体系中,利用自旋泵浦、自旋塞贝克等效应可以将自旋流注入到近邻的非磁层,同时通过非磁层的逆自旋霍尔效应探测其注入的效率,成为自旋电子学领域的研究热点[1].Pt/YIG(Y3Fe5O12)双层膜是自旋流注入和探测的理想体系,因为YIG 具有很小的磁阻尼常数同时Pt 具有很强的自旋轨道耦合.
会议
近年来,自旋电子学的新效应引起了物理学界的大量关注.磁性材料与半导体的复合材料成为一个热门的研究方向,其中一种半金属材料——Fe3O4,因为其具有高的居里温度和费米面附近的高自旋极化率,吸引了众多的研究兴趣.在磁电子器件,尤其在自旋注入半导体器件上,Fe3O4/GaAs被看作是一种很有潜质的自旋电子学复合材料.
会议
斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1].斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景,是近几年国际上的研究热点之一.但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限,通常仅存在于低温和有外磁场的情况下[2].在垂直各向异性材料上生长周期性的磁性圆盘(vortex),在前期的工作中我们设计并制备了人工斯格明子晶体,其具有和DM相互作用引起
会议
Pt作为具有强自旋-轨道耦合作用的非磁性材料,被广泛应用于自旋流的产生和探测中.当Pt镀在钇铁石榴石(yttrium iron garnet YIG)衬底上时,实验上发现了角度依赖的磁电阻[1].这一现象随后引起了实验和理论物理学家的诸多讨论[2-4].通过控制Pt-YIG的界面,我们实验上证明了Pt/YIG 体系磁电阻具有两个来源:一、Pt-YIG 界面自旋流;二、磁的近邻效应.在室温下,两种贡
会议
近年来,有关反常霍尔效应(anomalous Hall effect)起源问题再次引起了物理学界的普遍关注[1].到目前为止,人们认为AHE 受到的影响主要来自以下三个方面:内秉作用项、螺旋散射作用项和边跳散射作用项.Heusler 合金具有晶体结构简单,但磁结构复杂和有序度连续可调等特点,是研究反常霍尔效应机理的理想磁性材料.我们在Ar 气环境下,使用电弧熔炼的方法制备了Fe2Co1-xCrxS
会议
近年来,具有零能隙半Heusler合金的输运性质引起了人们的广泛关注.这主要是因为强自旋轨道耦合使其能带发生反转而表现出了各种新奇拓扑量子现象,例如:拓扑表面态、非中心对称超导、弱反局域效应等[1,2,3].本文报道了一种具有电子空穴补偿效应的半Heusler 合金LuPtBi的奇特输运性质.
会议
对磁性半导体(Ga,Mn)As性质的调控研究是近年来自旋电子学中的热点,我们在前期的研究基础上[1,2],将自组装有机分子单层引入磁性半导体薄膜的自旋电子态问题中,研究了有机分子与(Ga,Mn)As薄膜界面对(Ga,Mn)As的居里温度、矫顽力、自旋输运以及霍尔效应等的调制作用.Mn掺杂引入的空穴导致(Ga,Mn)As中局域Mn离子之间产生了铁磁交换作用,目前多采用外加电场调节载流子浓度的方法来调
会议