Large and nearly pure spin figure of merit in a serial-coupled double quantum dots system

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zxqqqzxq
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  With the development of integration scale,heat dissipation has become a more and more serious problem,which can not be neglected in high density electronic circuits.
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量子点系统中光辅助电子输运是凝聚态物理及光学领域热点问题之一。实验上,光仅仅加在量子点上;理论上指出光对称施加在导线或电极上与仅加在量子点上效果一致。然而,理论和实验上均未见关于光同时施加在量子点和两端导线上,对结构中电子输运性质影响的报导。
直接甲醇燃料电池作为未来清洁的动力能源,由于具有操作温度低、燃料易储存运输、能量效率高、污染低和燃料启动快等优点而受到人们广泛的关注[1~4]。阳极电催化剂是直接甲醇燃料电池最重要的组成部分。
六方氮化硼有原子级平整的表面,是石墨烯器件良好的衬底。通常这种石墨烯/氮化硼的结构需要转移技术的支持,而这些会带来加工的复杂和结构的不确定。为此,我们通过等离子体增强化学气相沉积系统上的研究,直接实现了在惰性衬底氮化硼上面的石墨烯外延生长。这种外延的石墨烯和氮化硼具有确定的堆垛结构,具有零度晶格转角。而且我们利用AFM直接观察到由于晶格失配造成的三角摩尔图形超结构。这个超晶格结构也在电学输运上表现
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Among many graphene synthesis methods,epitaxy could give hope to large-size and single-domain graphene production in a controlled manner.In this talk,I introduce our recent progress on graphene growth
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We studied how the period length and the mass ratio affect the thermal conductivity of isotopic nanoscale three-dimensional (3D) phononic crystal of Si.Using equilibrium molecular dynamics simulation,
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我们采用动力学蒙特卡罗模拟,对对称性破缺的简立方晶体(001)表面上经向和纬向不同热粗糙度对量子线(纳米线)生长的影响进行研究。模拟结果显示:在具有各向异性的表面上,基于晶核的量子线生长会沿着热粗糙度较小的方向进行,热粗糙度较大的方向上生长缓慢,法向几乎没有生长;量子线生长速率会随着热粗糙度减小而加快,当经向和纬向的热粗糙度差距较明显时,量子线的生长形貌较好。
以InSb、InAs 和 GaSb为代表的III-V族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件的重要候选材料。然而实验上发现,InAs纳米线随其直径、生长温度、生长气体分压等不同呈现多种多态晶体结构,其中,闪锌矿(ZB)和纤锌矿(WZ)是两种最主要结构,多年努力,其能量本质、动力学过程仍不甚清楚[1]。