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随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程中,添加剂的种类及其相互作用是实现高深宽比微道无空洞、无缝隙,即超等厚填充的关键。本文主要就国内外半导体芯片铜线工艺中添加剂作用的研究工作和反应机理进行了综述。
半导体芯片铜线工艺中的添加剂作用机理研究进展
【摘 要】
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随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程中,添加剂的种类及其相互作用是实现高深宽比
【机 构】
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福州大学化学化工学院
【出 处】
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2007(第13届)全国电子电镀学术年会暨绿色电子制造技术论坛
【发表日期】
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2007年期
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