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本文简单介绍了微机械工艺硅薄层探测器的制备过程,对Ф12mm、敏感层100μm的硅PIN探测器进行了测试,包括PIN结全耗尽电压、噪声、能量分辩,漏电流等,并与ORTEC公司同类产品进行了比较,证明该探测器接近或达到国外同类产品的水平.
敏感层100μm硅探测器的研制
【摘 要】
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本文简单介绍了微机械工艺硅薄层探测器的制备过程,对Ф12mm、敏感层100μm的硅PIN探测器进行了测试,包括PIN结全耗尽电压、噪声、能量分辩,漏电流等,并与ORTEC公司同类产品进行了比较,证明该探测器接近或达到国外同类产品的水平.
【机 构】
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北京大学微电子学研究院 北京大学空间物理与应用技术研究所
【出 处】
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中国空间科学学会空间探测专业委员会第十八次学术会议
【发表日期】
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2005年8期
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