【摘 要】
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在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的SiGe合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge的含量增加表面合金的晶格膨胀、结构驰豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使Si
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院(湖北武汉)
【出 处】
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湖北省物理学会·武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会
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在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的Si<,1-x>Ge<,x>合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge的含量增加表面合金的晶格膨胀、结构驰豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定.
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