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本文对金属栅与高K栅介质研究发展中的一些关键问题和相关的解决方案进行了系统的讨论和研究。文章围绕高K栅介质材料的选择、高K栅介质的按比例缩小能力、高K栅介质集成的工艺兼容性、双金属栅的需求与集成、金属栅/高K栅介质的可靠性进行了论述。
金属栅/高K栅介质:亚45纳米CMOS技术的需求
【摘 要】
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本文对金属栅与高K栅介质研究发展中的一些关键问题和相关的解决方案进行了系统的讨论和研究。文章围绕高K栅介质材料的选择、高K栅介质的按比例缩小能力、高K栅介质集成的工
【机 构】
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北京大学微电子研究院,北京,100871
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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