电子束缩小投影光刻掩模研究

来源 :第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chengwenjie123

【摘要】

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本文作者对电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术中的掩模进行了研究和实验,研制出了0.1微米线宽

【作者】

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杨清华叶甜春李兵刘明陈宝钦赵伶俐陈大鹏胥兴才吴桂君彭开武张福安

【机构】

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中国科学院微电子中心(北京)中国科学院电工研究所(北京)

【出处】

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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

【发表日期】

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2001年10期

【关键词】

：

电子束散射角限制投影光刻电子束掩模分辨率透过率反差

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本文作者对电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术中的掩模进行了研究和实验,研制出了0.1微米线宽的掩模制作工艺,摸索出一套比较稳定的工艺条件,并且对掩模的透过率和反差以及绝缘薄膜的电荷累积问题(SiNx薄膜的放电现象)进行了探索和实验研究.

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