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用三元扩散偶技术测定Nb-Ti-Si三元系1473K和1373K下的等温截面。用电子探针微区成分分析的方法研究了扩散偶中的扩散层；发现在实验温度下Nb-Ti-Si三元系不形成三元化合物。讨论了由1473K至1373K Nb-Ti-Si三元系所发生的相变。
Nb-Ti-Si三元系相变及相关系
【摘 要】
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用三元扩散偶技术测定Nb-Ti-Si三元系1473K和1373K下的等温截面。用电子探针微区成分分析的方法研究了扩散偶中的扩散层；发现在实验温度下Nb-Ti-Si三元系不形成三元化合物。讨
【机 构】
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中南大学材料科学与工程系
【出 处】
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第十届全国相图学术会议
【发表日期】
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2001年期
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