六硼化钐具有许多优异的性质,如高熔点（2580℃）、高电导率、化学性质稳定和低功函数（3.5 eV）等^[1,2],这使得它在光电领域有着非常巨大的应用潜力。最近理论预测,SmB₆可能是一种三维强拓扑近藤绝缘体^[3],有着丰富的表面电子态和强关联效应,这种性质可能使其在场发射应用方面有着较大的优势。尽管目前已经有一些研究小组成功制备出了六硼化钐纳米材料^[2,4],但是其场发射特性及其物理机制的研究还很少。在本文中,我们将系统地研究一维六硼化钐纳米柱薄膜的场发射特性及发射机制。我们利用所掌握的硼热还原工艺成功地在硅衬底表面制备出六硼化钐纳米柱薄膜^[5]。SmB₆纳米柱均匀地分布在整个Si衬底表面,长度约为1-3μm,直径分布在85-160 nm,同时形貌单一。可以发现,纳米柱的表面十分光滑,并且顶端有较为明显的催化剂颗粒,因此我们推测SmB₆纳米柱的生长应遵循VLS机制。在2.2×10^-5 Pa的高真空场发射测试分析系统中,我们系统研究了SmB₆纳米柱阵列薄膜的场发射特性。实验结果表明:SmB₆纳米柱阵列薄膜的开启电场为9 V/μm（电流密度为10μA/cm²）,阈值电场为12.3 V/μm（电流密度为1 mA/cm²）,最大的电流密度能够达到25.4 mA/cm²（17.6 V/μm）。场发射稳定性较好。并且,在连续2小时的21mA/cm²的大电流下测试条件下,电流波动低于4.6%,这说明SmB₆纳米柱阵列薄膜应是是一种理想的冷阴极纳米材料。