【摘 要】
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通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矮顽力和交换场等性能.通过工艺改进和结构优化,得到了Ta缓冲层的最佳厚度3nm.此时自旋阀的磁电阻率(9.24﹪)和交换场(255×10/4π)A/m)达到最大值,而矫顽力(2.43×
【机 构】
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清华大学微电子所(中国北京) 深圳华夏磁电子公司(中国深圳)
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通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矮顽力和交换场等性能.通过工艺改进和结构优化,得到了Ta缓冲层的最佳厚度3nm.此时自旋阀的磁电阻率(9.24﹪)和交换场(255×10<3>/4π)A/m)达到最大值,而矫顽力(2.43×10<3>/4π)A/m)比较小.通过优化后得到的自旋阀薄膜非常适合于工业自动化和汽车工业中的高性能GMR传感器的应用.
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