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物理冶金法提纯硅(UMG-Si)往往含有高浓度的硼和磷,本文采用直拉法生长了两根硼磷不同浓度掺杂补偿的硅单晶体,并通过二次离子质谱法(SIMS)和微波光电导衰减法(MW-PCD)测试不同硅晶体位置的硼磷浓度,为生产高性能太阳能电池提供参考.
硼磷补偿晶体硅的性能及其光伏应用
【摘 要】
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物理冶金法提纯硅(UMG-Si)往往含有高浓度的硼和磷,本文采用直拉法生长了两根硼磷不同浓度掺杂补偿的硅单晶体,并通过二次离子质谱法(SIMS)和微波光电导衰减法(MW-PCD)测试不
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年期
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