【摘 要】
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制备了一系列以Ni和NbB位取代Ti的新型改性PT压电陶瓷材料.典型配方主要性能参数:ε/ε=134,tan δ=0.0005,k/kp=31,τε=168×10/℃,N=5023(kHz mm),d=40×10C/N.获得了低介电常数、低介电常数温度系数、损耗小和大各向异性的压电陶瓷材料,适合高温高频陶瓷谐振器、降压变压器和超声换能器应用.
【机 构】
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清华大学(北京) 浙江大学(浙江杭州)
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制备了一系列以Ni<4+>和Nb<5+>B位取代Ti<4+>的新型改性PT压电陶瓷材料.典型配方主要性能参数:ε<,33>/ε<,0>=134,tan δ=0.0005,k<,t>/kp=31,τε=168×10<-6>/℃,N<,t>=5023(kHz mm),d<,33>=40×10<-12>C/N.获得了低介电常数、低介电常数温度系数、损耗小和大各向异性的压电陶瓷材料,适合高温高频陶瓷谐振器、降压变压器和超声换能器应用.
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