PMN-PT 基三元系弛豫铁电材料 MPB 组分设计、单晶生长与性能研究

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:y253119971
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  具有准同型相界(MPB)组分的复合钙钛矿结构铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)以其优异的机电耦合性能,在超声、信息、以及智能控制领域得到了广泛的应用。然而,由于准同型相界组分的两相共存所导致的三方到四方铁电相的结构相变,严重影响了该类材料的实际应用。
其他文献
355、266 nm等紫外激光具有波长短、热效应小、聚焦特性好、吸收效率高等优点,在微加工、医疗、军事、材料等领域具有广阔的应用前景和市场需求。
我们生长出厘米级的KLa(PO3)4晶体,测量了其在室温下的透过光谱,结果表明KLa(PO3)4晶体具有宽广的透光范围(1.6~4.0 μm),尤其引人注目的是该晶体具有非常短的紫外吸收边(162nm).Kurtz-Perry粉末倍频实验表明,KLa(PO3)4晶体能够实现相位匹配(@1.064 μm),其SHG效率接近KDP.
α-BaTeMo2O9(α-BTM)是我们课题组2010年在国际上首先发现并采用顶部籽晶法,以TeO2-MoO3为助熔剂成功生长出的一种性能优异的大尺寸光学晶体,对晶体基本物理化学性质的系统研究表明,该晶体透过范围很宽,而且折射率很大,是具有潜在应用价值的光学晶体材料。
开发碳化硅晶体生长炉三维电磁场、温度场数值模拟平台,研究了矩形截面(10mm×10mm)的电感线圈几何结构(轴对称结构、及非轴对称的螺旋结构)和布置参数对电磁场及温度场三维分布特性的影响规律。
本文采用改进的坩埚下降法生长高质量不同浓度Dy掺杂BSO透明晶体,研究了掺杂浓度对晶体闪烁性能的影响。所有生长晶体可见光区透过率达到80%左右,与纯BSO晶体相比,吸收边发生细微红移。
铌酸锂晶体具有优良的电光、声光、压电、光折变等性能,这使它在声倍频转换、表面滤波器、电光调制器、全息存储器、光波导等方面被广泛应用.在铌酸锂晶体中掺入不同的元素可以大幅度的提高其相应的性能,其中钼的掺入大大提高了其光折变全系存储性能,尤其当钼的掺杂浓度为0.5mol%,极化电流强度达到145mA时,晶体在351nm处响应时间缩短到0.35秒,饱和衍射效率也能保持到60.7%[1].
2008年,在美国国土安全局和能源部的支持下,美国科学人员N.J.Cherepy等人采用“Direct Search Method”的方法重新发现了SrI2:Eu晶体优异的闪烁性能,相关研究迅速成为无机闪烁体领域的研究热点和前沿课题,高光学质量和大尺寸晶体的制备是目前困扰该晶体走向实质性应用的最大瓶颈之一.本文通过独特的原料预处理技术,利用坩埚下降法获取了直径达30mm、光学性能优良的SrI2:E
无中微子双贝塔衰变是粒子物理探测的重要研究内容之一,钼酸钙(CaMoO4)晶体由于含有钼元素(Mo-100同位素在衰变过程中反应能较高,Q=3034 kev)及较高的自然丰度(9.63%),较高的光输出,适中的能量分辨率及合适的α粒子-γ射线甄别能力,成为重要的候选材料.
与ZnO单晶性能一样,碘化亚铜(CuI)单晶是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料。近年来,它在超快闪烁性能和优异的光电性能等方面的应用前景而使其成为新的研究热点[1-2]。
铈掺杂焦硅酸钆闪烁晶体(Gd2Si2O7:Ce)被报道具有优异的闪烁性能.本文通过光学浮区法制备得到(Gd0.9La0.1)2Si2O7:0.1%Ce单晶,并对其光学性质包括闪烁,荧光及热释光进行了测试和讨论.