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谷输运是谷电子学研究的核心内容。由于无法直接区分这种基于能带的电子内禀自由度，传统的基于非平衡格林函数的输运技术在处理这类问题时有局限性。结合早期通道散射的输运方法[1]和非平衡格林函数中的多端口技术，我们发展了基于材料紧束缚模型的多端口谷量子输运模拟技术。我们将该技术应用于过渡金属硫化物MoSe2体系谷霍尔效应输运性质的数值研究[2]。通过对六端口样品谷输运性质的数值模拟，我们发现横向谷霍尔效应能产生纵向谷极化电流，纯的纵向谷极化电流能在横向产生谷霍尔效应。 我们证明了铁磁金属导线能在过渡金属硫化物中产生谷极化流和自旋极化流，在此基础上，我们研究了它们对应的霍尔效应。我们定量得到了得到各内禀因素和外部调控(例如：费米能级、无序类型、无序强度、样品尺寸等)影响谷极化流与霍尔电阻以及两者之间关系的物理图像。