【摘 要】
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在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入,离子注入的激活温度为1250℃
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京市海淀区 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入,离子注入的激活温度为1250℃。室温下,器件的反向击穿电压达到了3000V以上,达到实验4H-SiC材料特性击穿电压的60％。器件的正向开启电压为2V,这可能是由极低的外延层掺杂浓度引起的。在Vr=7V时,正向电流密度达到了32A/cm2,比导通电阻Ron=127.5mtΩ-cm2。得到的器件势垒高度qφBn=0.98eV,理想因子约为1.24。
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