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为实现大规模集成电路的发展，硅片直径正在不断扩大，导致了硅单晶生长使用的石英坩埚直径也在扩大化。由于集成电路特征线宽缩小，对硅片生长过程提出了更高的要求。为解决大直径硅片生长过程使用石英坩埚存在问题如纯度，对单晶生长影响问题，国外石英生产厂家通过对石英坩埚生长过程环境，原料，检验设备，包装和服务等环节控制加上在石英坩埚生产过程中开发的技术专利如内涂层技术，有效解决了大直径单晶使用大直径石英坩埚过程中存在的问题。