【摘 要】
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不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学(RTCVD)方法生长,然后用区熔再结晶(ZMR)方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶,晶体质量得到改善,并且颗粒尺寸增大了几个数量级,达到几十个微米甚至毫米量级,符合制作太阳电池的要求.实验中给出了用X射线衍射方法作出的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法
【机 构】
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北京市太阳能研究所(北京) 清华大学(北京)
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不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学(RTCVD)方法生长,然后用区熔再结晶(ZMR)方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶,晶体质量得到改善,并且颗粒尺寸增大了几个数量级,达到几十个微米甚至毫米量级,符合制作太阳电池的要求.实验中给出了用X射线衍射方法作出的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌.
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