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硒化锑是一种 Ⅴ-Ⅵ化合物半导体,正交晶体结构,具有独特的结构特征：其由一维(Sb4Se6)n 无机高分子链堆积而成,在c 方向上为共价键,在a,b 两个方向通过范德华力堆积而成。
硒化锑薄膜:物理表征与器件应用
【摘 要】
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硒化锑是一种 Ⅴ-Ⅵ化合物半导体,正交晶体结构,具有独特的结构特征：其由一维(Sb4Se6)n 无机高分子链堆积而成,在c 方向上为共价键,在a,b 两个方向通过范德华力堆积而成。
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家实验室
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
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随着集成电路特征尺寸进入纳米时代，在电路中引入新器件结构、新材料以及新工艺技术以提高单元器件和电路性能成为未来发展的必然趋势。其中锗材料由于其具有比硅材料高的载流子迁移率和与标准CMOS 工艺兼容性好等特点受到广泛关注。
会议
班级后进生是教师们公认的"难题",管理这些学生的标准缺乏但对他们未来的发展至关重要。大力发展职业教育是教育部做出的新指示,文章认为可以把职业教育的部分内容融进管理后进生的标准。文章从研究班级后进生管理标准的背景、当前管理标准实施的困境、职业教育发展带给管理标准的机遇与挑战、班级后进生管理标准探索进行论述,试图找出解决管理班级后进生的有效方法。
后进生是中职学校中客观存在的现象,而后进生也是学校中极易被忽略的对象。后进生的产生背后有生源的本因,其现状也逃不开学生自身、家长老师和社会环境等各方面的影响。对于后进生的转化越来越彰显出其必要性和重要意义。在对中职学校后进生进行转化的过程中,我们应对后进生予以充分的尊重理解,积极沟通和倾听诉求,引导他们多参与校园活动,强化鼓励式教育,并加强和家庭教育的配合。具体实践中,我们要对不同的学生区别管理,