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本文利用原位透射电子显微学技术，对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究，揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。
GeSbTe薄膜的原位电子显微学研究
【摘 要】
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本文利用原位透射电子显微学技术，对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究，揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。
【机 构】
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北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124浙江大学电镜中心,浙江杭州310027
【出 处】
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2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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