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用水平Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长ＧａＳｂ单晶
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所
【出 处】
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中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议
【发表日期】
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1993年期
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