基于65nm CMOS工艺的60GHz宽带下变频混频器

来源 :2013年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:benn_zhao123
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基于一种65rim CMOS工艺,本文实现了一款60GHz宽带下变频混频器.该混频器采用Gilbert单元结构,为提高混频器的增益、带宽和噪声性能,在跨导管与开关管之间引入级间电感.测试结果表明,在48GHz0dBm本振信号的作用下,该混频器的转换增益约为14dB,3dB带宽大于4GHz,输入1dB压缩点为-10dBm.此外,仿真结果表明,噪声系数为12dB,输入三阶交调截点为2.5dBm.在1.2V电源电压下,混频器核心Gilbert单元电路功耗为13.2mW,输出缓冲器功耗为25.2mW.芯片面积为0.9×0.76mm2.
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