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Hole-doping and pressure effects on the Ⅱ-Ⅱ-Ⅴ based diluted magnetic semiconductor (Ba1-xKx)(Zn1-yMn

来源 :中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenyongze

【作 者】

：

F.Sun G.Q.Zhao C.A.Escanhoela Jr B.J.Chen R.H.Kou Y.G.Wang Y.M.Xiao P.Chow H.K.Mao D.Haskel W.G.Yang C.Q.Jin 

【机 构】

：

Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy o

【出 处】

：

中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会

【发表日期】

：

2016年4期

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