硅基半导体是现代微电子产业的基石,但由于体硅材料是间接带隙半导体,因此发光效率极低.通过构筑硅基异质结结构,将具有优良发光性能的材料和硅材料结合起来制备出高效率的电致发光器件是当前解决硅基发光难题的途径之一.本文中选用P型硅作为衬底，在平板p-Si和p-SiNWs上旋涂无机钙钛矿(CsPbBr3)量子点，构筑了全无机Si/CsPbBr3 QDs和SiNWs/CsPbBr3 QDs异质结的电致发光器件并研究了相关的器件性能。图1为无机Si/CsPbBr3 QDs异质结电致发光图谱，器件的开启电压为2.7V。在517nm处有较窄的发射峰，随着注入电流的增加，发射强度增强。为了提高器件的性能，通过湿法刻蚀制备Si纳米线，所制备的纳米线阵列结构具有较好的减反特性，将其应用到硅基钙钛矿量子点异质结电致发光器件上，期待能够改善器件的光提取效率，进而增强器件的电致发光性能。