【摘 要】
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自组装锗量子点因其发光在1550nm左右的通信波段,并且其生长方式与CMOS工艺兼容,引起了人们广泛的关注与研究.利用各种微纳谐振腔结构提升Ge量子点的荧光品质,有望成为实现硅基集成的片上光源的重要途径.本文利用光子晶体平板作为F-P腔反射镜，来增强腔内部的Ge量子点荧光，低温下获得一系列近似等间距的法诺线型共振峰。其中，F-P腔模式因其在水平方向的F-P腔内部谐振，在垂直方向出射很少，可以类比成
【机 构】
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武汉光电国家实验室,华中科技大学,武汉,430074
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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自组装锗量子点因其发光在1550nm左右的通信波段,并且其生长方式与CMOS工艺兼容,引起了人们广泛的关注与研究.利用各种微纳谐振腔结构提升Ge量子点的荧光品质,有望成为实现硅基集成的片上光源的重要途径.本文利用光子晶体平板作为F-P腔反射镜，来增强腔内部的Ge量子点荧光，低温下获得一系列近似等间距的法诺线型共振峰。其中，F-P腔模式因其在水平方向的F-P腔内部谐振，在垂直方向出射很少，可以类比成法诺共振中高Q值的暗模，而锗量子点因其类似点光源的辐射特性，在垂直方向光出射也较多，可以类比成法诺共振中的亮模。两者发生干涉效应，形成不对称线型的法诺共振峰。
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