【摘 要】
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AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency devices for radar,avionics and wireless base-station transmitters,thanks to the unique material
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency devices for radar,avionics and wireless base-station transmitters,thanks to the unique material properties of Ⅲ-N material.However,the comercializatio-n of these devices has been hampered by reliability issues.Before commercialization,the failure mechanism of these devices under high temperature stress must be figured out.Previous studies[1],[2] shown that a high mechanical stress develops under the drain-edge of the gate driven by a high electrical field,contributing to structural damage to the GaN cap and AlGaN layer.However,the structural damage caused by other reason has not been identified and reported.
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宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs/MIS-HEMTs)具有低的导通电阻、高的工作频率以及较低的栅极漏电,非常适用于下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求.常关型功率器件由于其安全性高和栅极驱动简单,广泛受电路应用的欢迎
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