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本文介绍了利用反射式太赫兹(THz)辐射装置产生太赫兹波段电磁辐射的产生与探测系统,给出了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(FFT),测得的THz 时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz 发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体有更高效的THz发射本领。