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作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩模、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电路制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.
X射线光刻技术在GaAs IC制造中的应用
【摘 要】
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作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩模、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电路制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEM
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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