电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应

来源 :天津市电镀工程学会第九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：caressliu

【摘要】

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采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(入)的关系,入较大时,没有观察到

【作者】

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姚素薇赵瑾张卫国董大为

【机构】

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天津大学化工学院

【出处】

：

天津市电镀工程学会第九届学术年会

【发表日期】

：

2002年期

【关键词】

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电沉积纳米多层膜效应周期性振荡控电位沉积四探针法扫描电镜巨磁电阻单槽法层厚度硅上镀层调制单晶波长表征

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采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(入)的关系,入较大时,没有观察到明显的CMR效应,当入小于100nm时,GMR效应随入减小而增大,而当入小于8nm时,GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.

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