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<正> 对于生长Ⅲ-Ⅴ族宽带隙氮化物来说,虽然蓝宝石、炭化硅衬底技术已日臻成熟,但是由于Si衬底具有成本低、易解理、易得到大面积高质量商业化衬底以及硅基器件易于集成等优点,科学工作者一直没有放弃对Si衬底氮化物生长的研究。最近,硅衬底GaN基材料生长及器件应用所取得的进展引起人们极大关注。
硅衬底GaN基发光材料与器件
【摘 要】
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<正> 对于生长Ⅲ-Ⅴ族宽带隙氮化物来说,虽然蓝宝石、炭化硅衬底技术已日臻成熟,但是由于Si衬底具有成本低、易解理、易得到大面积高质量商业化衬底以及硅基器件易于集成等优
【机 构】
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中国科学院光电子工艺发展中心;
【发表日期】
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2004年期
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