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采用DTA-TG热分析仪测定了甲基铝氧烷(MAO)在硅胶表面上的负载状态,并对负载前后硅胶载体孔结构和羟基含量做了表征。结果表明.负载后载体硅胶表面的MAO以单层分散MAO和堆积MAO形式存在。羟基含量随着MAO负载量的增加而增加,当MAO负载质量分数为14.0％时,羟基含量由原来的0.40mmol/g增加至0.81mmol/g。羟摹含量的变化表明,负载后的载体硅胶在分解后会新产生表面羟基。说明MAO与载体硅胶的表面羟基具有不同的相互作用。