【摘 要】
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选择高纯石墨作为基体,分别在其表面利用直管磁过滤阴极弧法沉积Cr过渡层、多弧离子镀技术沉积Ti过渡层、直流磁控溅射技术沉积Si过渡层以及先等离子体注入技术注入Si再
【机 构】
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核工业西南物理研究院 四川成都610041
【出 处】
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2012全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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选择高纯石墨作为基体,分别在其表面利用直管磁过滤阴极弧法沉积Cr过渡层、多弧离子镀技术沉积Ti过渡层、直流磁控溅射技术沉积Si过渡层以及先等离子体注入技术注入Si再磁控溅射技术沉积Si过渡层,最终再利用直流磁控溅射技术沉积约10μm厚的W涂层。利用光学显微镜和扫描电子显微镜对涂层的表面形貌和厚度进行分析,利用摩擦磨损试验仪测试涂层的摩擦磨损性能,通过显微维氏硬度计测试涂层的硬度,利用电子束高热负荷实验装置测试涂层的高热负荷性能。结果表明,Ti和Si作为过渡层所沉积的W涂层所得性能较好,通过进一步的研究有望得到更好的性能。
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