【摘 要】
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非晶硫系薄膜光敏特性引起结构和性能上的变化在光存储，影印石板术等应用上拥有巨大的应用前景，而红外光学领域一些基于线性和非线性的应用却要求其对光照不敏感，这就限制了
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非晶硫系薄膜光敏特性引起结构和性能上的变化在光存储，影印石板术等应用上拥有巨大的应用前景，而红外光学领域一些基于线性和非线性的应用却要求其对光照不敏感，这就限制了非晶硫属化合物的一些潜在的应用.尽管非晶硫系薄膜的光致变化可以通过掺杂Cu或者Sn来抑制，却很少有研究通过优化化学组份来降低这些影响.采用磁控溅射制备一系列GeTe4 -Ga2Te3 薄膜，组份分别为GeTe4、Ga10Ge15Te75 Ga15Ge12.5Te72.5 Ga20Ge10Te70、Ga30Ge5Te65、Ga35Ge12.5Te52.5.利用X 射线衍射(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)，拉曼光谱，折射率和吸收或透射光谱等测试手段，系统地探讨了经激光辐射后薄膜的结构和光学特性的变化.实验表明多数薄膜出现吸收边红移或者蓝移的现象，伴随着折射率的增加或减小，平均配位数为2.4～2.5 之间的薄膜却表现出良好的光致稳定性，其带隙及折射率均没有明显变化.这在全光通信光学器件中有很好的应用前景.
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