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0 绪论随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效,如今在大直径直拉硅单晶中存在的空洞型原生微缺陷(即COP缺陷)已成为影响集成电路成品率的关键因素.
浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除
【摘 要】
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0 绪论随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效,如
【出 处】
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2009上海半导体材料学术年会
【发表日期】
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2009年12期
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