Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池的研制

来源 :第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:myplucky
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  采用电化学一步共沉积后硫化退火的方法制备出了Cu2ZnSnS4 薄膜,对薄膜的晶体结构、表面形貌、能谱以及光学性质进行了表征.主要研究了硫化退火温度和S2O32-浓度这两个因素对薄膜的影响.发现Cu2ZnSnS4 薄膜的成相十分依赖于退火温度.只有在退火温度大于450℃时,才会形成Cu2ZnSnS4 相,且退火温度越高,薄膜质量越好.S2O32-浓度的改变对薄膜的影响体现在杂相CuxS的出现上.研究发现随着S2O32-浓度的增大,薄膜容易出现CuxS 杂相.最终,我们制备得到了单一相的、具有贫铜、富锌的、禁带宽度为1.5eV 的Cu2ZnSnS4薄膜样品.使用这种薄膜样品作太阳能电池的吸收层.制备出效率为5.5%的电池.
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