三维集成光波导芯片是光波导集成芯片的发展方向,可以解决平面波导集成度、光学电学连接点、材料等诸多方面限制.三维集成的关键是层间的耦合结构,本论文采用灰度光刻的方法,光刻制备了用于层间耦合的光波导斜坡结构,斜坡长度20-400微米,高度1-10微米,本文采用原子力显微镜(AFM）和扫面电镜(SEM）对该斜坡结构进行了表征,该斜坡结构可采用刻蚀和直接显影的方法实现转移.在此结构的基础上，采用倒脊型光波导放大器作为下层波导，采用光刻胶材料直波导结合斜坡结构作为上层结构，采用980nm的光输入光波导放大器，在光路在光波导放大器传输时，产生上转换现象，在光路通过斜坡切换至上层后，上转换现象消失。该斜坡结构可以实现三维集成光波导中光路的垂直耦合，可应用于光波导放大器的三维泵浦方法。