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相变存储(PCM)是采用激光(或电流)作用使相变材料在晶态和非晶态之间反复转变,并利用晶态和非晶态的光(或电)学性质的不同,实现二进制信息的读写与存储.为了满足PCM器件对材料的晶化温度、晶化速度等特性的要求,需寻找新型相变材料,还需设法优化现有相变材料的性能.改变化学成分(含掺杂)和采用复合结构是优化相变材料性能的常用手段.