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将锗浓缩工艺和微纳加工工艺结合起来,制作了一种完全可控的锗纳米线探测器.器件结构如图1所示.在图1(a)中,两边的方形电极接触区尺寸为100×100μm2.图1(b)的中央正是锗纳米线,两边为采用电子束蒸发蒸镀的Ni/Au电极.
基于金/锗纳米线肖特基结的光探测器
【摘 要】
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将锗浓缩工艺和微纳加工工艺结合起来,制作了一种完全可控的锗纳米线探测器.器件结构如图1所示.在图1(a)中,两边的方形电极接触区尺寸为100×100μm2.图1(b)的中央正是锗纳米线,两边为采用电子束蒸发蒸镀的Ni/Au电极.
【机 构】
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华中科技大学,武汉光电国家实验室,武汉 400374
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
【发表日期】
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2017年6期
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