BSFIPTz陶瓷的制备及性能研究

来源 :第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lkjh321
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本文采用传统固相烧结方法,制备了0.3BiScO3-xBiFeO3-(0.08-x)BilnO3-0.62PbTiO3(x=0.01~0.07)压电陶瓷。通过XRD显示,在1 100℃烧结温度下.都能得到具有单一钙钛矿结构的陶瓷样品。同时经过对样品的介电、压电性能的研究,发现在BF=0.02时,其室温压电常数d33可以达到473 pC/N,kp=0.556,居里温度也有431℃。随着BF的增加。陶瓷样品的压电性能急剧降低,但是其居里温度是显著增加的。研究表明,BS-BI-BF-PT陶瓷具有优良电学性能的压电陶瓷材料。
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