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InGaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的载流子输运过程和发光机制,对进一步研发高效率、高性能相关光电器件至关重要[1–3].目前普遍接受的观点是,在晶格失配的衬底上生长的InGaN/GaN MQW尽管有极大的位错密度,但铟(Indium)的非均一分布促进了该氮化物基LED的高量子效率[4].