利用X射线吸收近边结构谱对1T相MoS2电子结构的研究

来源 :第十二届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pploa
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1T相MoS2属于MoS2的一种亚稳相结构,近年来被发现在光(电)催化制氢、超级电容器以及场效应晶体管等领域具有重要的应用前景[1-4].深入研究1T相MoS2内在的电子结构将有助于揭示其电化学活性与优异电输运性质的来源.X射线吸收吸收近边结构谱(XANES)是一种探测原子电荷密度、分子终态能级和配位几何信息的重要技术手段,被广泛地应用于研究材料的电子组态和原子区域结构[5].本文中,我们使用了XANES技术分析了具有不同1T相含量的MoS2的电子结构变化.根据S-K edge与Mo-L3 edge的变动信息,证明1T相的出现来源于外来电子对MoS2母体中层内的注入,经退火后,S-K edge与Mo-L3 edge恢复到无电子注入的起始状态,意味着MoS2重新转为2H相的稳态结构.
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