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利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷.光致发光谱显示,ZnO/PS复合体系的光致发光谱相比于PS,发光蓝移且出现新的发光峰,呈现较强的白光发射.傅里叶变换红外光谱(FTIR)表明,ZnO沉积在PS上后的发光蓝移是因为PS表面的Si-H键转换为Si-O-Si键.利用PS的氧键模型和ZnO的本征缺陷模型解释了ZnO/PS复合体系的发光机理.