ZnO/PS复合体系的白光发射及机制研究

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fy9876
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷.光致发光谱显示,ZnO/PS复合体系的光致发光谱相比于PS,发光蓝移且出现新的发光峰,呈现较强的白光发射.傅里叶变换红外光谱(FTIR)表明,ZnO沉积在PS上后的发光蓝移是因为PS表面的Si-H键转换为Si-O-Si键.利用PS的氧键模型和ZnO的本征缺陷模型解释了ZnO/PS复合体系的发光机理.
其他文献
考察介孔材料催化剂CuO/SBA-15对萘的催化性能,结果表明催化剂对萘的转化率较高,但对CO2的生成率较低,长时间氧化反应导致CuO/SBA-15失活。通过BET、XRD、SEM和GC-MS等表征手段对失活后催化剂进行分析,初步得出催化剂失活的原因是表面大分子有机物的沉积,覆盖了活性中心。
二甲醚(DME)稳定、无毒、无腐蚀性,且氢含量高,除可作为清洁燃料替代柴油、液化石油气(LPG)外,还是一种理想的氢载体。随着DME生产技术的发展与成熟,实现DME的大规模生产指日可待,而DME的储存和运输可以比照LPG进行,甚至可利用LPG的储运网络,因此DME作为氢载体发展的关键是解决DME制氢(即释氢)的问题。本文采用浸渍法制备负载量为3%、6%、9%、12%、15%的Ni/Al2O3催化剂
NO和CO是重要的空气污染物,是环境治理中受关注的问题,如何催化消除这些污染气体已经成为目前人们研究热点。锐钛型TiO2作为催化剂载体而被广泛应用,但其在高温条件下易烧结,并转晶为比表面较小的金红石型TiO2。本文用少量ZrO2掺杂入TiO2制备了锐钛型TZ为载体负载氧化铜催化剂,通过与纯锐钛型TiO2为载体催化剂的对比,利用in situ FT-IR及CO+NO反应等手段,研究了ZrO2的掺杂对
CuO作为一种廉价的金属氧化物,在工业催化特别是环境催化领域有着广泛的应用。为了获得较好的活性和稳定性,通常将其负载到特定的载体上。SBA-15,具有大的比表面积和独特的孔道结构,是一类理想的催化剂载体。本文通过浸渍法制备出CuO/SBA-15前驱体,再在三种不同气氛下焙烧,通过XRD和H2-TPR初步考察了产物的性质,同时其在NO+CO反应中的活性差异也作了比较。
大气污染物中氮氧化合物的有效催化消除,是目前环保研究领域的重要课题之一。过渡金属氧化物CuO、CoxOy等由于其价格低廉、催化活性高,因此常用来替代催化剂中的贵金属活性组分,用于催化消除汽车尾气中的NO和CO等有害气体。研究表明,双组分及多组分负载型催化剂中的活性组分之间存在着协同作用,对其催化性能有显著的影响。本文采用不同前驱体制备了CuO-CoxOy/γ-Al2O3催化剂,并考察了其对催化剂结
汽车尾气中NOx的催化消除一直是环境催化领域中的重要课题之一。金属氧化物催化剂,特别是铜基催化剂受到了广泛关注,以期望取代稀有昂贵的贵金属。γ-Al2O3由于具有良好的热稳定性和较大的比表面积,通常作为催化剂的载体,但是它不具备储氧释氧能力以及体现出相对惰性。本文制备了CexZr1-xO2改性γ-Al2O3负载CuO催化剂,考察了不同铈锆比对催化剂在NO+CO反应中活性与选择性的影响规律。
水热法合成出小晶粒的SAPO-34及金属取代的MeAPSO-34分子筛,并作为载体用浸渍法负载上不同含量Pd催化剂,应用于催化CO氧化反应。反应结果显示:催化剂载体、催化剂的制备条件和反应条件对CO的氧化催化活性均有较大影响,催化剂的活性随焙烧温度的增加而降低,随反应温度及Pd含量的增加而增加。XRD,TEM物化表征结果表明催化剂中的Pd处于高分散状态,粒子直径在2~8nm之间;表面XPS分析证实
本文报道了3个双咪唑的过渡金属超分子配合物{[Cu(H2biim)2(H2O)](SiF6)}·H2O、[Cu(H2biim)2]SiF4和Ni2(H2biim)4(H3biim)(phen)](NO3)4·3.5H2O的合成和结构。发现了配体(H2biim,phen)与金属之间存在协同催化作用。
用共沉淀方法制备了Zr0.25Ti0.25Al0.5O1.75载体材料,以其为载体,MnO2为活性组分,CeO2为助剂,制备了不同温度下(500℃,600℃,700℃和800℃)焙烧的MnO2-CeO2/Zr0.25Ti025Al0.5O1.75整体式催化剂。对催化剂进行了BET、储氧量(OSC)和NH3-TPD的表征,并考察了催化剂在富氧条件下的NH3-SCR活性。结果表明,焙烧温度的不同,催化
GaN是制造蓝紫光光电器件的理想半导体材料之一,由于生长工艺的原因,非掺杂的GaN材料中通常会存在一定的杂质和晶格缺陷,在对材料测试光致发光谱时,这些未知的杂质和晶格缺陷会产生与能级相对应的发光峰,通常出现波长位于450nm的蓝带发光峰和位于550nm的黄带发光峰,这会大大降低了材料的发光特性,因此弄清楚黄带发光与蓝带发光的起源,对材料制作工艺的改进有着十分重大的意义。本文采用氢化物气相外延法(H
会议