通过气相化学沉积(CVD)的方法成功制备了Bi2Te3薄膜,发现这些薄膜材料是由Bi2Te3纳米片连接而成。通过控制温度、气压、输运气体流量等条件,可以控制制备不同尺寸纳米片及不同纳米片密度的薄膜材料。在Bi2Te3薄膜中发现线性磁电阻现象,即使外场加到14T,仍显示不饱和趋势。研究不同致密度薄膜材料,发现在很大磁电阻范围内,线性磁电阻和材料迁移率间存在普遍关系,即同一材料中,磁电阻和迁移率都随温度增加而减小。而不同致密度薄膜材料中,磁电阻和迁移率成正比关系。这些结果说明迁移率的涨落导致了典型线性磁电阻,这与Parish和Littlewood提出的理论完全吻合。我们有关Bi2Te3薄膜研究结果提供明确证据,证实材料物理上或结构上不均匀性是线性磁电阻的来源,并且为控制拓扑绝缘体材料磁电阻提供新的方法。